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電子特氣對輸送系統的高純度、高安全性、耐腐蝕性及精準控制能力有著嚴苛要求,適配其特性的常用閥門類型及連接標準如下,是保障氣體輸送系統穩定運行的核心要素。
針對電子特氣的特殊工況需求,專用閥門需兼顧潔凈度、密封性與適配性,核心類型包括以下幾類:
作為電子特氣系統中的核心閥門,隔膜閥憑借獨特結構優勢,成為高純度、腐蝕性及毒性氣體輸送的首選。其通過柔性隔膜將流體介質與閥體驅動機構實現完全隔離,從根源上避免密封件磨損污染介質,可實現極高的氣密性與潔凈度,有效保障氣體純度不受輸送環節影響。
不銹鋼隔膜閥:以SUS-55L系列為代表,采用全金屬觸控式結構設計,摒棄樹脂等非金屬部件,具備極強的耐腐蝕性與穩定性,專門適配氟混合氣體等對材質兼容性要求極高的特殊氣體輸送場景。
栓隔膜閥:如EGVN系列,通過結構優化設計,將閥內死角面積削減60%以上,大幅提升系統清洗性能與耐腐蝕性,同時可實現大流量氣體供應,兼顧潔凈度與輸送效率。
作為現代晶圓廠等高端電子制造場景中氣體輸送系統的關鍵終端控制設備,閥門分配箱(VMB)與閥門分配盤(VMP)分別適配不同供氣需求,實現精準化、安全化供氣管控。
閥門分配箱(VMB):主要用于多工藝腔室(通常支持8-16個)共享氣源的場景,集成調壓閥、氮氣吹掃接口及流量監控模塊,支持在線吹掃功能,可有效防止不同氣體交叉污染,保障多工位供氣穩定性。
閥門分配盤(VMP):適配光刻、原子層沉積(ALD)等高精度工藝的點對點精準供氣需求,配備納秒級切斷閥(響應時間<100ms)與高靈敏度壓力傳感器,可精準適配高純度、低流量的嚴苛供氣要求,確保工藝穩定性。
核心作用為精確穩定調節氣體輸送壓力,需滿足極低泄漏率標準(通常要求≤1×10?? Pa·m3/s),嚴格遵循SEMI F57等國際電子特氣行業標準,為高精度工藝提供穩定的壓力環境,避免壓力波動影響產品質量。
電子特氣氣瓶與輸送管道的連接需遵循標準化接頭系統,核心目的是防止誤接、杜絕泄漏,保障操作安全,目前主流遵循美國壓縮氣體協會(CGA)制定的系列標準。
CGA標準:為不同類型氣體分配專屬數字編號,實現氣體與接頭的精準匹配。例如,CGA 660為氨氣(NH?)常用接頭型號,CGA 705也可適配氨氣輸送場景,通過編號區分避免混接風險。
DISS標準:作為CGA推出的現代化“直徑指數安全系統”,在CGA標準基礎上進一步優化,通過接頭直徑、螺母尺寸的差異化設計實現氣體區分,適配更高純度氣體輸送需求。例如,DISS 720為氨氣對應的專用接頭型號,安全性與適配性更優。
上述標準通過結構與編號的雙重區分,確保只有匹配的氣體與接頭才能實現連接,從源頭降低誤操作引發的安全風險,是電子特氣輸送系統的安全基石。
電子特氣的儲存與輸送是高度專業化的系統工程,其核心競爭力在于實現高純度氣體與專用高安全性閥門(隔膜閥、VMB/VMP、高純調壓閥等)的協同適配,同時嚴格遵循CGA/DISS等國際接頭標準,形成“材質適配+精準控制+安全防護”的全鏈條保障體系,滿足高端電子制造的嚴苛需求。
四、常見氣體及對應閥門

| 氣體名稱 Gas Name | 英文名稱 English Name | 純度 Purity | 規格 Package | 閥門型號 Valve Model |
| 氨 | NH? (Ammonia) | 5N5、6N4、7N | 47L、440L、Y-TON、930L、T-TON、ISO | CGA660/DISS720/M/VCR |
| 氧化亞氮 | N?O (Nitrous Oxide) | 5N5 | 47L、470L、Y-TON、TT | DISS712 |
| 二氧化碳 | CO? (Carbon Dioxide) | 5N5 | 47L、470L、Y-TON、ISO | DISS716 |
| 正硅酸乙酯 | TEOS (Tetraethyl Orthosilicate) | 9N | 6GAL、10GAL、200L | 14''VCR |
| 八氟環丁烷 | C?F? (Octafluorocyclobutane) | 5N | 47L | DISS716 |
| 氟甲烷 | CH?F (Fluoromethane) | 4N | 7L、47L | DISS724 |
| 六氟丁二烯 | C?F? (Hexafluorobutadiene) | 4N | 47L | DISS716 |
| 二氯二氫硅 | SiH?Cl? (Dichlorosilane) | 3N | 40L | CGA678/Y/D88636 |
| 乙硅烷 | Si?H? (Disilane) | 4N | 49L | DISS632 |
| 六氯乙硅烷 | Si?Cl? (Hexachlorodisilane) | 6N | 7L | 14''VCR |
| 硅烷 | SiH? (Silane) | 6N | 47L、440L、Y-TON、TT | DISS632 |
| 氦氣 | He (Helium) | 5N、6N | 47L、50L | CGA580/G5/8 |
| 氧氣 | O? (Oxygen) | 5N | 40L | CGA540 |
| 氮氣 | N? (Nitrogen) | 5N、6N | 40L | CGA580 |
| 氬氣 | Ar (Argon) | 5N、6N | 40L | CGA580 |
| 氫氣 | H? (Hydrogen) | 5N、6N | 40L | CGA350 |
| 高純氙氣 | Xe (Xenon) | 4N、4N5 | 10L、47L | CGA580 |
| 六氟化硫 | SF? (Sulfur Hexafluoride) | 4N、5N | 47L、440L | CGA590/DISS716 |
| 四氟化碳 | CF? (Carbon Tetrafluoride) | 5N | 47L、440L | CGA320/CGA580 |
| 三氟化硼 | BF? (Boron Trifluoride) | 5N | 47L | CGA680 |
| 溴化氫 | HBr (Hydrogen Bromide) | 5N5、6N | 47L | DISS634 |
| 甲烷 | CH? (Methane) | 5N | 47L | CGA350 |
| 三氯硅烷 | SiHCl? (Trichlorosilane) | 4N | 40L、250L | CGA320/DISS636 |
| 三氟甲烷 | CHF? (Trifluoromethane) | 5N | 47L | DISS716 |
| 三氟化氮 | NF? (Nitrogen Trifluoride) | 4N | 47L、440L、TT | CGA640 |
| 氧氬混合氣 | O?+Ar (Oxygen-Argon Mixture) | O? 5N/Ar 5N、O? 5N/Ar 6N | 47L | G5/8 |
| 氫氬混合氣 | H?+Ar (Hydrogen-Argon Mixture) | H? 6N/Ar 6N | 47L | G5/8 |
| 氫氦混合氣 | H?+He (Hydrogen-Helium Mixture) | H? 6N/He 6N | 47L | CGA580 |
| 氫氮混合氣 | H?+N? (Hydrogen-Nitrogen Mixture) | H? 6N/N? 6N | 47L | CGA724/CGA580 |
| 四氟化碳氧混合氣 | CF?+O? (Carbon Tetrafluoride-Oxygen Mixture) | CF? 5N/O? 5N | 47L | CGA320 |
| 乙硅烷氫混合氣 | Si?H?+H? (Disilane-Hydrogen Mixture) | Si?H? 4N/H? 6N | 44L、47L | DISS632 |
| 磷烷氫混合氣 | PH?+H? (Phosphine-Hydrogen Mixture) | PH? 6N/H? 6N | 47L、470L | DISS632 |
| 乙硼烷氫混合氣 | B?H?+H? (Diborane-Hydrogen Mixture) | B?H? 4N/H? 6N | 47L、470L | DISS632 |
| 甲烷氬混合氣 | CH?+Ar (Methane-Argon Mixture) | CH? 5N5/Ar 6N | 47L | CGA580 |
| 硅烷氫混合氣 | SiH?+H? (Silane-Hydrogen Mixture) | SiH? 6N/H? 6N | 47L | DISS632 |
| 硅烷氮混合氣 | SiH?+N? (Silane-Nitrogen Mixture) | SiH? 6N/N? 6N | 47L | DISS632 |
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