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電子特種氣體是指用于半導體、平板顯示及其它電子產品生產的特種氣體。IC制造主要包括清洗、沉積/CVD、光刻、刻蝕、離子注入、成膜等工藝,從單個芯片生成到最后器件的封裝,幾乎每一個環節都離不開電子氣體,因此電子氣體被稱為半導體材料的“糧食”和“源”。

清洗所需電子特氣:Cl2、ClF3、NF3、C2H6、SF6、HCl等
沉積所需電子特氣:NH3、N2O、TEOS、SiH4、NO、WF6
光刻所需電子特氣:Ar、F2、Ne、Kr、He等
刻蝕所需電子特氣:NF3、C4F8、COS、CF4、C3F6、HF、 CH3F、SiF4、SF6、BF3等
離子注入所需電子特氣:BF3、B2H4、AsH、TEB、TEPO、PH3
外延所需電子特氣:HCl、SiH2Cl2、SiHCl3等
氧化/沉積工藝特氣—六氟化鎢(WF6)
六氟化鎢主要用于半導體工業中化學氣相沉積工藝形成金屬鎢導體膜。其沉積形成的鎢導體膜在集成電子學中通常被用作高傳導性的互連金屬、金屬層間的通孔和垂直接觸的接觸孔以及鋁和硅間的隔離層,在半導體領域應用廣泛。
電子特氣六氟化鎢用特氣閥門
BF200-CGA DISS638-3/4NGT
BF200-CGA DISS638-V2
BF200-DIN8-3/4NGT
BF200-DIN8-PZ27.8
BF100-DIN8-3/4NGT
氧化亞氮(笑氣)和一氧化氮主要應用于CVD工藝,市場穩定增長。高純氧化亞氮和一氧化氮氣體主要應用于半導體、面板制造過程中的氧化、化學氣相沉積(CVD沉積氮化硅的氮源)等工藝流程中,二者為替代關系。
電子特氣氧化亞氮(笑氣)用特氣閥門
BF200-CGA326-3/4NGT
BF200A-CGA326-3/4NGT
BF200-CGA580-3/4NGT
BF200-CGA DISS712-3/4NGT
BF200A-CGA DISS712-3/4NGT
BF100-CGA326-3/4NGT
BF100-CGA580-3/4NGT
超純氨是半導體、顯示面板、光伏等高端制造領域不可或缺的關鍵電子特種氣體,主要用于薄膜沉積工藝,該應用對氣體的純度、水份、氧份、金屬雜質等含量有嚴格限制,氣體質量對芯片制造的良率和性能產生直接影響。 國家標準《電子特氣 氨》(GB/T 14601-2025)的正式實施將有效規范電子特氣氨產品的生產、檢驗和流通環節,提升產品質量穩定性,滿足高端制造業對電子特氣產品的嚴格要求。
高純氨廣泛應用于泛電子行業:高純氨主要用于半導體照明、集成電路、平板顯示面板、太陽能電池等光電子和微電子領域,用以沉積生成氮化硅薄膜。
電子特氣氨氣用特氣閥門
BF200-CGA660-3/4NGT
BF200-CGA660-PZ27.8
BF200-CGA DISS720-3/4NGT
BF200A-CGA DISS720-3/4NGT
BF200-CGA DISS720-1NGT
BF200-JIS22RH-3/4NGT
BF200-JIS22RH-PZ27.8
BF200A-JIS22RH-3/4NGT
BF200A-JIS22LH-PZ27.8
BF100-CGA660-3/4NGT
硅烷是沉積工藝的重要氣體:硅烷氣作為一種載運硅組分的氣體源,無論是光伏太陽能的生產,還是IC、LED、TFT-LCD的制造都需要大量的硅烷做原料。因為硅烷的高純度和能實現精細控制,已成為半導體行業沉積工藝的重要氣體。
電子特氣硅烷用特氣閥門
BF200-CGA DISS632-3/4NGT
磷烷、砷烷應用場景相似、生產工藝相仿:磷烷為半導體工藝中用于多晶硅化學氣相沉淀、外延GaP材料、離子注入工藝、MOCVD工藝、磷硅玻璃鈍化膜制備等工藝中。砷烷主要用于外延硅的N型摻雜、硅中的N型擴散、離子注入、生長砷化鎵和磷砷化鎵。由于二者分子結構相似,其工藝技術同源、應用場景相似,迄今為止尚無替代用品,且國外一直對我國進行磷烷/砷烷管制、禁運,所以進行磷烷/砷烷國產化要求十分迫切。
電子特氣磷烷(PH3)用特氣閥門
BF200-CGA DISS632-3/4NGT
乙硼烷應用范圍廣,化學活性提供國產化機會:乙硼烷既可以用作半導體器件中外延工藝的摻雜源、擴散源和,又能沉積形成氮化硼薄膜,用量不大。乙硼烷化學活性非常高,易發生聚合,因此海外進口的長途運輸難度大,為乙硼烷的國產化提供了機遇。
電子特氣乙硼烷(B2H6)用特氣閥門
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